限流值可调的双门限限流保护电路设计

时间:2023-08-29 09:00:04 来源:网友投稿

徐佳豪,汪西虎,董振斌,张金洋

(1.西安邮电大学 电子工程学院,西安 710121;
2.上海电子线路智能保护工程技术研究中心,上海 201202;
3.上海维安电子有限公司,上海 201202)

近年来,负载开关在电源管理中发挥着越来越重要的作用[1]。限流保护电路作为负载芯片的核心,影响着后续系统的工作状态,因此,电源管理芯片对内部限流保护电路提出了很高的设计要求[2-3]。

当负载出现短路的时候,电源管理芯片会流过很大的电流,瞬间电流可能达到10A以上,会严重影响芯片的正常工作,将芯片的输出电流限制在一个较低的水平显得尤为重要[4]。随着现代电子产品种类的急剧增加,电源管理芯片的应用场合也随之增加,传统限流电路的限流范围较窄,已经不能满足客户的需求[5-6]。文献[7]尽管加入了短路保护电路,但是短路输出波形是振荡的,适用范围窄。文献[8]虽然可通过外接电阻调节限流值,但其应用范围也不大。鉴于此,本文提出一种限流值可调的双门限限流保护方法,通过增加限流值设置短路保护电路,既实现了限流值的宽范围调节,又可以保证短路情况下对芯片的保护,适应范围更广。

传统限流电路利用电阻进行输出电流的采样,其结构如图1所示。图1中,R1与R2阻值相同,M2、M5、M8的尺寸相同,流过M3与M6的电流相同,M3与M6尺寸相同。电路处于过流保护状态时,根据饱和区电流公式可知:当M3与M6的栅压相同、流过M3与M6的电流相同时,M3与M6的源极电压也相同;
因为R1与R2的阻值相同,流过的电流也相同,所以A点电压等于B点电压[9]。可得限流值IOUT(LIM)表达式为

图1 传统限流电路结构Fig.1 Traditional current limiting circuit structure

(1)

(1)式中:IM3为流过M3的电流;
Rsense为采样电阻。

当电路有过流出现时,流过FET的电流增大,导致A点电压降低。因为流过M6的电流不变,流过R2的电流也不变,所以R2上的压差也不变。当A点电压降低时,M6的源极电压会减小。M6处于饱和区,根据饱和区电流公式可推得:当M6的电流不变,M6源极电压减小时,M6栅极电压也减小。因为流过M3与R3的电流不变,B点电压不变,M3的源极电压也不变,M3的栅极电压也减小,所以导致M3的漏极电压增大,M9的漏极电压降低,FET的栅极电压减小,IOUT减小,实现限流的目的。然而利用采样电阻进行采样,采样电阻上会有电压损耗,会降低芯片的效率,增大导通电阻。传统限流电路限流值单一,不能应用于多种场合[10-11]。因此,为了有效提高限流保护电路的效率,本文设计了一款新型限流保护电路。

基于BCD工艺,本文设计了一种双门限新型限流保护电路,其结构框图如图2所示。

图2 新型限流电路结构Fig.2 Diagram of new current limiting circuit structure

本文设计的限流电路结构可实现过流保护和短路保护两种功能,电路由功率器件、VOUT判断电路、短路保护采样电路、过流保护采样电路、限流值设置电路、电流比较器电路组成。图2中,RLIM为外接电阻,限流值设置电路的输出电流可以根据不同的RLIM进行调整,由此可以产生不同的参考电流。VOUT判断模块进行判断,当VOUT大于2 V时,过流保护电流采样电路工作;
当VOUT小于等于2 V时,短路保护电流采样电路工作。这两种电路都通过采样管进行采样,采样管将功率管电流按一定比例缩小,比较采样的电流与参考电流的大小,通过电流比较器输出的微小电流拉低功率管的栅极电压,从而起到限流的作用。基于基尔霍夫电流定律设计的电流比较电路,只需用简单的结构就可实现电流的比较,省去了设计电压比较器这一步骤,可节省面积。与传统的限流保护电路相比,本文电路具有以下特点:①限流值可调,可通过改变RLIM阻值适应不同的应用场合;
②通过功率管中一定比例的采样管对电流值进行采样,这样不增加导通电阻,可以提高电源的效率;
③通过电流比较电路,简化了电路结构。

3.1 限流值设置电路

基于文献[12]中的结构,设计了限流值设置电路,添加可调电阻RLIM来调整限流环路的参考电流。限流值设置电路如图3所示。图3中,VDD为外部电源电压,VP34信号是来自带隙基准源的参考电压,VBIAS为偏置模块产生的偏置,ISET为限流值设置电路的输出电流。M6、M8、M9为开关管,正常工作时栅极均为高电平。

图3 限流值设置电路Fig.3 Current limiting setting circuit

M1为运放提供稳定的尾电流,尾电流为零温度系数电流,确保该电路静态工作点几乎不随温度变化,从而保证了限流值的温漂系数。正常工作时,M6、M8、M9栅极为高电平,M6、M8打开;
R1、R2、R3、M6、M7、M8组成运放的负反馈环路,起到一个钳位的作用,可将A端口处电压钳位在0.34 V;
R3、M7、M8、RLIM构成通路。限流值设置电路输出电流ISET的表达式为

(2)

通过调节RLIM阻值大小可调节该通路电流,从而实现功率管电流的宽范围输出。

3.2 过流限流保护电路

过流限流保护电路如图4所示。图4中,VDD为外部电源电压,VBIAS1与VBIAS2为偏置模块产生的偏置,PUMP为电荷泵的输出信号,FET为功率管。过流保护电路包括过流保护采样与电流比较两部分。

图4 过流限流保护电路Fig.4 Over-current limiting protection circuit

图4中,M3与M5为共源共栅结构,M4与M6也为共源共栅结构,这种结构保证了电流镜像的精度。M10与M8为由VOUT检测电路控制的开关管,FET为功率管,M21为过流保护电路采样管。M1、M2、M3、M4、M5、M6一起组成钳位结构。由于M5、M6的漏电流相同,所以M1与M2的漏电流也相同。M1与M2处在饱和区,由饱和区电流公式可知M1与M2的源端电压相同,起到钳位的作用。M7与M11、M13与M16、M14与M17组成电流镜结构,M7与M11的尺寸之比为3∶56、M13与M16的尺寸之比为32∶1、M14与M17的尺寸之比为1∶1。假设流过M14的电流为ID,则通过镜像关系得到的流过M17的电流值也为ID。由基尔霍夫电流定律可知,如果ID大于ISET,功率管栅极会有一个下拉电流,功率管栅极电压将会减小,最终电流稳定在一个恒定值。

在过流限流状态下,流过M17的电流近似等于ISET,则ID与ISET的关系式为

ID=ISET

(3)

由M7与M11的镜像关系可知流过M7的电流IM7与ISET的关系式为

(4)

M1的电流IM1由偏置模块决定。流过M21的电流为M1、M7、M11的电流之和,则采样管电流ISAM与ISET的关系式为

(5)

FET与采样管M21的尺寸之比为N2∶1,在过流保护状态下,M21与FET都处于饱和区,又由于M21与FET的栅极、源极、漏极均相等,所以它们尺寸之比等于电流之比。将(2)式代入(5)式,再将N2=591.5,VP34=0.34V代入(5)式,则过流限流值公式可简化为

(6)

由(6)式可得:RLIM与过流限流值成反比。

3.3 短路保护电路

短路保护电路如图5所示,短路保护电路中VDD为外部电源电压,VBIAS为偏置模块产生的偏置,PUMP为电荷泵的输出信号。

图5 短路保护电路Fig.5 Short-current protection circuit

图5中,M1、M8给由M2、M3、M4、M5、M7组成的比较器提供尾电流,M9组成比较器的负反馈通路,该负反馈网络可将M2与M3的栅极电压钳位在一个相同的电压值。M6为短路保护电路采样管,M12为开关管,当VOUT小于2V时,M12的栅极电平为高电平。因为M2与M3的栅极电压相同,所以流过R1与R2的电流的关系表达式为

(7)

(7)式中:IR1为流过R1的电流值;
IR2为流过R2的电流值。

假设流过M6的电流为IS,流过M6的电流等于IR1,则IR2与IS的关系式为

(8)

流过R2、M10、M11的电流相同,M10与M11构成镜像电流镜,其尺寸之比为1∶1。M13与M14也构成镜像电流镜,其尺寸之比也为1∶1。M14的电流IM14为

(9)

经过电流比较电路,IM14只要大于ISET,M15就会有电流,拉低功率管电压,从而使输出电流保持稳定。

在短路保护状态,IM14近似等于ISET,假设FET与M6的尺寸之比为N1∶1,则短路限流值ISHORT与ISET的关系式为

(10)

将(2)式带入(10)式,再将N1=591.5,R2/R1=24,VP34=0.34 V代入(1)式与(10)式,则短路限流值公式可简化为

(11)

将(6)式与(11)式比较可得:短路限流值约为过流限流值的3/4。

本文基于0.18 μm BCD工艺,利用Cadence Virtuoso进行仿真,设定负载电容为1 μF。双门限限流电路在RLIM电阻为6.8 KΩ,电源电压为5 V,温度25 ℃时,经过计算得到过流限流值为997 mA,短路保护限流值为720 mA。图6所示为限流值随负载变化的曲线。图6中,过流保护限流值为1 009 mA,短路保护限流值为730 mA,与理论值近似相等。

图6 输出限流值随负载变化曲线(RLIM=6.8 KΩ)Fig.6 Output current varies with the load resistance(RLIM=6.8 KΩ)

当RLIM=6.8 KΩ时,过流保护限流值随电源电压变化曲线如图7所示,可看出最大限流值为1 020 mA,最小限流值为1 007 mA,限流值偏移率约为2%。

图7 过流保护限流值随电源电压变化曲线(RLIM=6.8 KΩ)Fig.7 Overload current limiting value varies with the supply voltage(RLIM=6.8 KΩ)

表1列出温度在-40~125 ℃时,RLIM=6.8 KΩ的输出电流仿真结果,ILIM表示过流时的限流值,ISHORT表示短路时的限流值。

表1 -40~125 ℃温度下的限流值仿真结果(RLIM=6.8 KΩ) Tab.1 Simulation results of current limiting value at-40~125 ℃(RLIM=6.8 KΩ)

过流保护状态下,通过调节RLIM的阻值,可实现过流保护在400~2 500 mA内的限流值调节。过流保护限流值随RLIM变化的曲线如图8所示。

图8 过流保护限流值随RLIM变化曲线Fig.8 Current limiting value of over-current protection varies with RLIM

由图8可知,过流情况下,当RLIM=17 KΩ时,系统输出限流值可达到最小限流值400 mA;
当RLIM=2.7 KΩ时,可达到最大限流值2 500 mA。通过对过流保护电路全范围内进行工艺角仿真表明,本文电路各项指标均达到设计要求。

短路保护限流值随RLIM变化的曲线如图9所示。从图9可以看出,RLIM=17 KΩ时,电路进入到短路保护状态下,系统输出限流值可达到最小限流值267 mA;
RLIM=2.7 KΩ时,可达到最大限流值1 758 mA。通过对短路保护电路全范围内进行工艺角仿真表明,本文电路各项指标均达到设计要求。

图9 短路保护限流值随RLIM变化的曲线Fig.9 Current limiting value of short-current protection varies with RLIM

本文所设计的双门限限流保护电路版图采用0.18 μm BCD工艺完成,电路版图如图10所示,尺寸约为635 μm×1 300 μm。

图11为过流保护限流值随RLIM变化的后仿真图,图12为短路保护限流值随RLIM变化的后仿真图。由图11—图12可以看出:后仿真过流和短路时,分别能实现411~2 509 mA与273~1 762 mA的可调限流输出,此结果比前仿真偏大了一点,其原因是版图中铝线上的电阻会产生压降,会使后仿真采样管源端电压低于前仿值,从而导致后仿限流值大于前仿限流值。

图11 过流保护限流值随RLIM变化曲线(后仿真)Fig.11 Current limiting value of over-current protection varies with RLIM(post simulation)

图12 短路保护限流值随RLIM变化的曲线(后仿真)Fig.12 Current limiting value of short-current protection varies with RLIM(post simulation)

传统限流电路限流范围较窄,只能产生固定限流值,且无法在短路情况下对电路进行保护。本文设计的双门限限流保护电路,可改变外接电阻对限流值进行调节,在系统过流和短路时,分别能实现411~2 509 mA,273~1 762 mA的恒流输出,达到预期的设计指标,可满足限流开关芯片的实际需求。

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